สั่งซื้อ_bg

สินค้า

วงจรรวม IRFH5007TRPBF ชิป IC IRFH5007TRPBF ในราคาที่ดีที่สุด

คำอธิบายสั้น:


รายละเอียดผลิตภัณฑ์

แท็กสินค้า

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

พิมพ์ คำอธิบาย
หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน

ทรานซิสเตอร์ - FET, MOSFET - ตัวเดียว

นาย อินฟิเนียน เทคโนโลยีส์
ชุด เฮ็กซ์เฟต®
บรรจุุภัณฑ์ เทปและรีล (TR)

เทปตัด (CT)

ดิจิ-รีล®

สถานะสินค้า ซื้อครั้งสุดท้าย
ประเภท FET เอ็น-แชนแนล
เทคโนโลยี MOSFET (โลหะออกไซด์)
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 75 โวลต์
ปัจจุบัน – ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 17A (ตา), 100A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds) 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs 5.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 98 นาโนซี @ 10 โวลต์
วีจีเอส (สูงสุด) ±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 4290 pF @ 25 โวลต์
คุณสมบัติ FET -
การกระจายพลังงาน (สูงสุด) 3.6W (ตา), 156W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (ทีเจ)
ประเภทการติดตั้ง ติดพื้นผิว
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ 8-PQFN (5×6)
แพ็คเกจ/กล่อง 8-พาวเวอร์TDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์ฐาน IRFH5007

เอกสารและสื่อ

ประเภททรัพยากร ลิงค์
แผ่นข้อมูล IRFH5007PbF
โมดูลการฝึกอบรมผลิตภัณฑ์ วงจรรวมไฟฟ้าแรงสูง (ตัวขับเกต HVIC)
ข้อมูลด้านสิ่งแวดล้อม การปฏิบัติตาม RoHS ของ PQFN 5×6
ผลิตภัณฑ์พิเศษ ระบบประมวลผลข้อมูล
เอกสารข้อมูล HTML IRFH5007PbF
โมเดล EDA IRFH5007TRPBF โดย Ultra Librarian
โมเดลจำลอง IRFH5007PBF รุ่นสไปซ์

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

คุณลักษณะ คำอธิบาย
สถานะ RoHS เป็นไปตามมาตรฐาน ROHS3
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) 1 (ไม่จำกัด)
สถานะการเข้าถึง REACH ไม่ได้รับผลกระทบ
ECCN EAR99
เอชทีเอส 8541.29.0095

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

คุณลักษณะ คำอธิบาย
ชื่ออื่น IRFH5007TRPBF-ND

IRFH5007TRPBFCT

SP001564166

IRFH5007TRPBFDKR

IRFH5007TRPBFTR

แพ็คเกจมาตรฐาน 4,000

ทรานซิสเตอร์เป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้กันทั่วไปในเครื่องขยายเสียงหรือสวิตช์ควบคุมด้วยระบบอิเล็กทรอนิกส์ทรานซิสเตอร์เป็นส่วนประกอบพื้นฐานที่ควบคุมการทำงานของคอมพิวเตอร์ โทรศัพท์มือถือ และวงจรอิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่อื่นๆ ทั้งหมด

เนื่องจากความเร็วในการตอบสนองที่รวดเร็วและความแม่นยำสูง ทรานซิสเตอร์จึงสามารถนำไปใช้กับฟังก์ชันดิจิตอลและอนาล็อกได้หลากหลาย รวมถึงการขยายสัญญาณ การสวิตชิ่ง ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้า การมอดูเลตสัญญาณ และออสซิลเลเตอร์ทรานซิสเตอร์สามารถบรรจุแยกกันหรือในพื้นที่ขนาดเล็กมากที่สามารถบรรจุทรานซิสเตอร์ได้ตั้งแต่ 100 ล้านตัวขึ้นไปโดยเป็นส่วนหนึ่งของวงจรรวม

เมื่อเปรียบเทียบกับหลอดอิเล็กตรอน ทรานซิสเตอร์มีข้อดีหลายประการ:

1.ส่วนประกอบไม่มีการบริโภค

ไม่ว่าท่อจะดีแค่ไหนก็จะค่อยๆเสื่อมสภาพลงเนื่องจากการเปลี่ยนแปลงของอะตอมแคโทดและการรั่วไหลของอากาศเรื้อรังด้วยเหตุผลทางเทคนิค ทรานซิสเตอร์ก็มีปัญหาเดียวกันเมื่อถูกสร้างขึ้นครั้งแรกด้วยความก้าวหน้าในด้านวัสดุและการปรับปรุงในหลาย ๆ ด้าน โดยทั่วไปแล้วทรานซิสเตอร์จะมีอายุการใช้งานยาวนานกว่าหลอดอิเล็กทรอนิกส์ 100 ถึง 1,000 เท่า

2.ใช้พลังงานน้อยมาก

มันเป็นเพียงหนึ่งในสิบหรือสิบของหลอดอิเล็กตรอนหลอดเดียวไม่จำเป็นต้องให้ความร้อนแก่เส้นใยเพื่อผลิตอิเล็กตรอนอิสระเหมือนกับหลอดอิเล็กตรอนวิทยุทรานซิสเตอร์ต้องการแบตเตอรี่แห้งเพียงไม่กี่ก้อนในการฟังเป็นเวลาหกเดือนต่อปี ซึ่งเป็นเรื่องยากสำหรับวิทยุแบบหลอด

3.ไม่จำเป็นต้องอุ่นเครื่อง

ทำงานทันทีที่คุณเปิดเครื่องตัวอย่างเช่น วิทยุทรานซิสเตอร์จะดับทันทีที่เปิดเครื่อง และโทรทัศน์ทรานซิสเตอร์จะตั้งค่าภาพทันทีที่เปิดเครื่องอุปกรณ์หลอดสุญญากาศทำแบบนั้นไม่ได้หลังจากบูตแล้วให้รอสักพักจึงจะได้ยินเสียงดังภาพเห็นได้ชัดว่าในการทหาร การวัด การบันทึก ฯลฯ ทรานซิสเตอร์มีข้อได้เปรียบอย่างมาก

4. แข็งแกร่งและเชื่อถือได้

เชื่อถือได้มากกว่าหลอดอิเล็กตรอน 100 เท่า ทนต่อแรงกระแทก ทนแรงสั่นสะเทือน ซึ่งหาที่เปรียบไม่ได้กับหลอดอิเล็กตรอนนอกจากนี้ขนาดของทรานซิสเตอร์เป็นเพียงหนึ่งในสิบถึงหนึ่งในร้อยของขนาดของหลอดอิเล็กตรอน ปล่อยความร้อนน้อยมาก สามารถใช้ในการออกแบบวงจรขนาดเล็ก ซับซ้อน และเชื่อถือได้แม้ว่ากระบวนการผลิตทรานซิสเตอร์จะมีความแม่นยำ แต่กระบวนการนี้ก็เรียบง่าย ซึ่งเอื้อต่อการปรับปรุงความหนาแน่นในการติดตั้งส่วนประกอบต่างๆ


  • ก่อนหน้า:
  • ต่อไป:

  • เขียนข้อความของคุณที่นี่แล้วส่งมาให้เรา