สั่งซื้อ_bg

สินค้า

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ต้นฉบับใหม่ชิป IC IRF3205STRLPBF วงจรรวม

คำอธิบายสั้น:


รายละเอียดผลิตภัณฑ์

แท็กสินค้า

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

พิมพ์ คำอธิบาย
หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน

ทรานซิสเตอร์ - FET, MOSFET - ตัวเดียว

นาย อินฟิเนียน เทคโนโลยีส์
ชุด เฮ็กซ์เฟต®
บรรจุุภัณฑ์ เทปและรีล (TR)

เทปตัด (CT)

ดิจิ-รีล®

สถานะสินค้า คล่องแคล่ว
ประเภท FET เอ็น-แชนแนล
เทคโนโลยี MOSFET (โลหะออกไซด์)
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 55 โวลต์
ปัจจุบัน – ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 110A (ทีซี)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds) 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs 8mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 146 เอ็นซี @ 10 โวลต์
วีจีเอส (สูงสุด) ±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 3247 pF @ 25 โวลต์
คุณสมบัติ FET -
การกระจายพลังงาน (สูงสุด) 200W (ทีซี)
อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (ทีเจ)
ประเภทการติดตั้ง ติดพื้นผิว
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ D2PAK
แพ็คเกจ/กล่อง TO-263-3, D²Pak (2 สาย + แถบ), TO-263AB
หมายเลขผลิตภัณฑ์ฐาน IRF3205

เอกสารและสื่อ

ประเภททรัพยากร ลิงค์
แผ่นข้อมูล IRF3205(เอส,แอล)PbF
เอกสารอื่นๆ ที่เกี่ยวข้อง ระบบการกำหนดหมายเลขชิ้นส่วน IR
โมดูลการฝึกอบรมผลิตภัณฑ์ วงจรรวมไฟฟ้าแรงสูง (ตัวขับเกต HVIC)
ผลิตภัณฑ์พิเศษ ระบบประมวลผลข้อมูล
เอกสารข้อมูล HTML IRF3205(เอส,แอล)PbF
โมเดล EDA IRF3205STRLPBF โดย SnapEDA

IRF3205STRLPBF โดย Ultra Librarian

โมเดลจำลอง IRF3205SPBF รุ่นเซเบอร์

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

คุณลักษณะ คำอธิบาย
สถานะ RoHS เป็นไปตามมาตรฐาน ROHS3
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) 1 (ไม่จำกัด)
สถานะการเข้าถึง REACH ไม่ได้รับผลกระทบ
ECCN EAR99
เอชทีเอส 8541.29.0095

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

คุณลักษณะ คำอธิบาย
ชื่ออื่น IRF3205STRLPBF-ND

SP001576758

IRF3205STRLPBFTR

IRF3205STRLPBFDKR

IRF3205STRLPBFCT

แพ็คเกจมาตรฐาน 800

ทรานซิสเตอร์เป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้กันทั่วไปในเครื่องขยายเสียงหรือสวิตช์ควบคุมด้วยระบบอิเล็กทรอนิกส์ทรานซิสเตอร์เป็นส่วนประกอบพื้นฐานที่ควบคุมการทำงานของคอมพิวเตอร์ โทรศัพท์มือถือ และวงจรอิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่อื่นๆ ทั้งหมด

เนื่องจากความเร็วในการตอบสนองที่รวดเร็วและความแม่นยำสูง ทรานซิสเตอร์จึงสามารถนำไปใช้กับฟังก์ชันดิจิตอลและอนาล็อกได้หลากหลาย รวมถึงการขยายสัญญาณ การสวิตชิ่ง ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้า การมอดูเลตสัญญาณ และออสซิลเลเตอร์ทรานซิสเตอร์สามารถบรรจุแยกกันหรือในพื้นที่ขนาดเล็กมากที่สามารถบรรจุทรานซิสเตอร์ได้ตั้งแต่ 100 ล้านตัวขึ้นไปโดยเป็นส่วนหนึ่งของวงจรรวม

เมื่อเปรียบเทียบกับหลอดอิเล็กตรอน ทรานซิสเตอร์มีข้อดีหลายประการ:

1.ส่วนประกอบไม่มีการบริโภค

ไม่ว่าท่อจะดีแค่ไหนก็จะค่อยๆเสื่อมสภาพลงเนื่องจากการเปลี่ยนแปลงของอะตอมแคโทดและการรั่วไหลของอากาศเรื้อรังด้วยเหตุผลทางเทคนิค ทรานซิสเตอร์ก็มีปัญหาเดียวกันเมื่อถูกสร้างขึ้นครั้งแรกด้วยความก้าวหน้าในด้านวัสดุและการปรับปรุงในหลาย ๆ ด้าน โดยทั่วไปแล้วทรานซิสเตอร์จะมีอายุการใช้งานยาวนานกว่าหลอดอิเล็กทรอนิกส์ 100 ถึง 1,000 เท่า

2.ใช้พลังงานน้อยมาก

มันเป็นเพียงหนึ่งในสิบหรือสิบของหลอดอิเล็กตรอนหลอดเดียวไม่จำเป็นต้องให้ความร้อนแก่เส้นใยเพื่อผลิตอิเล็กตรอนอิสระเหมือนกับหลอดอิเล็กตรอนวิทยุทรานซิสเตอร์ต้องการแบตเตอรี่แห้งเพียงไม่กี่ก้อนในการฟังเป็นเวลาหกเดือนต่อปี ซึ่งเป็นเรื่องยากสำหรับวิทยุแบบหลอด

3.ไม่จำเป็นต้องอุ่นเครื่อง

ทำงานทันทีที่คุณเปิดเครื่องตัวอย่างเช่น วิทยุทรานซิสเตอร์จะดับทันทีที่เปิดเครื่อง และโทรทัศน์ทรานซิสเตอร์จะตั้งค่าภาพทันทีที่เปิดเครื่องอุปกรณ์หลอดสุญญากาศทำแบบนั้นไม่ได้หลังจากบูตแล้วให้รอสักพักจึงจะได้ยินเสียงดังภาพเห็นได้ชัดว่าในการทหาร การวัด การบันทึก ฯลฯ ทรานซิสเตอร์มีข้อได้เปรียบอย่างมาก

4. แข็งแกร่งและเชื่อถือได้

เชื่อถือได้มากกว่าหลอดอิเล็กตรอน 100 เท่า ทนต่อแรงกระแทก ทนแรงสั่นสะเทือน ซึ่งหาที่เปรียบไม่ได้กับหลอดอิเล็กตรอนนอกจากนี้ขนาดของทรานซิสเตอร์เป็นเพียงหนึ่งในสิบถึงหนึ่งในร้อยของขนาดของหลอดอิเล็กตรอน ปล่อยความร้อนน้อยมาก สามารถใช้ในการออกแบบวงจรขนาดเล็ก ซับซ้อน และเชื่อถือได้แม้ว่ากระบวนการผลิตทรานซิสเตอร์จะมีความแม่นยำ แต่กระบวนการนี้ก็เรียบง่าย ซึ่งเอื้อต่อการปรับปรุงความหนาแน่นในการติดตั้งส่วนประกอบต่างๆ


  • ก่อนหน้า:
  • ต่อไป:

  • เขียนข้อความของคุณที่นี่แล้วส่งมาให้เรา