MOSFET ต้นฉบับใหม่ TO-220-3 IRFB4321PBF
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
| พิมพ์ | คำอธิบาย |
| หมวดหมู่ | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน |
| นาย | วงจรเรียงกระแสระหว่างประเทศ |
| ชุด | เฮ็กซ์เฟต® |
| บรรจุุภัณฑ์ | เป็นกลุ่ม |
| สถานะสินค้า | คล่องแคล่ว |
| ประเภท FET | เอ็น-แชนแนล |
| เทคโนโลยี | MOSFET (โลหะออกไซด์) |
| ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss) | 150 โวลต์ |
| ปัจจุบัน – ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C | 85A (ทีซี) |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds) | 10V |
| Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 33A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 110 เอ็นซี @ 10 โวลต์ |
| วีจีเอส (สูงสุด) | ±30V |
| ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds | 4460 pF @ 50 V |
| คุณสมบัติ FET | - |
| การกระจายพลังงาน (สูงสุด) | 350W (ทีซี) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (ทีเจ) |
| ประเภทการติดตั้ง | ผ่านรู |
| แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ | TO-220AB |
| แพ็คเกจ/กล่อง | TO-220-3 |
เอกสารและสื่อ
| ประเภททรัพยากร | ลิงค์ |
| แผ่นข้อมูล | แผ่นข้อมูล |
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
| คุณลักษณะ | คำอธิบาย |
| ECCN | EAR99 |
| เอชทีเอส | 8542.39.0001 |
แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม
| คุณลักษณะ | คำอธิบาย |
| ชื่ออื่น | ไอเฟร์เฟิร์ฟบี4321PBF 2156-IRFB4321PBF |
| แพ็คเกจมาตรฐาน | 1 |
ทรานซิสเตอร์เป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้กันทั่วไปในเครื่องขยายเสียงหรือสวิตช์ควบคุมด้วยระบบอิเล็กทรอนิกส์ทรานซิสเตอร์เป็นส่วนประกอบพื้นฐานที่ควบคุมการทำงานของคอมพิวเตอร์ โทรศัพท์มือถือ และวงจรอิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่อื่นๆ ทั้งหมด
เนื่องจากความเร็วในการตอบสนองที่รวดเร็วและความแม่นยำสูง ทรานซิสเตอร์จึงสามารถนำไปใช้กับฟังก์ชันดิจิตอลและอนาล็อกได้หลากหลาย รวมถึงการขยายสัญญาณ การสวิตชิ่ง ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้า การมอดูเลตสัญญาณ และออสซิลเลเตอร์ทรานซิสเตอร์สามารถบรรจุแยกกันหรือในพื้นที่ขนาดเล็กมากที่สามารถบรรจุทรานซิสเตอร์ได้ตั้งแต่ 100 ล้านตัวขึ้นไปโดยเป็นส่วนหนึ่งของวงจรรวม
เมื่อเปรียบเทียบกับหลอดอิเล็กตรอน ทรานซิสเตอร์มีข้อดีหลายประการ:
1.ส่วนประกอบไม่มีการบริโภค
ไม่ว่าท่อจะดีแค่ไหนก็จะค่อยๆเสื่อมสภาพลงเนื่องจากการเปลี่ยนแปลงของอะตอมแคโทดและการรั่วไหลของอากาศเรื้อรังด้วยเหตุผลทางเทคนิค ทรานซิสเตอร์ก็มีปัญหาเดียวกันเมื่อถูกสร้างขึ้นครั้งแรกด้วยความก้าวหน้าในด้านวัสดุและการปรับปรุงในหลาย ๆ ด้าน โดยทั่วไปแล้วทรานซิสเตอร์จะมีอายุการใช้งานยาวนานกว่าหลอดอิเล็กทรอนิกส์ 100 ถึง 1,000 เท่า
2.ใช้พลังงานน้อยมาก
มันเป็นเพียงหนึ่งในสิบหรือสิบของหลอดอิเล็กตรอนหลอดเดียวไม่จำเป็นต้องให้ความร้อนแก่เส้นใยเพื่อผลิตอิเล็กตรอนอิสระเหมือนกับหลอดอิเล็กตรอนวิทยุทรานซิสเตอร์ต้องการแบตเตอรี่แห้งเพียงไม่กี่ก้อนในการฟังเป็นเวลาหกเดือนต่อปี ซึ่งเป็นเรื่องยากสำหรับวิทยุแบบหลอด
3.ไม่จำเป็นต้องอุ่นเครื่อง
ทำงานทันทีที่คุณเปิดเครื่องตัวอย่างเช่น วิทยุทรานซิสเตอร์จะดับทันทีที่เปิดเครื่อง และโทรทัศน์ทรานซิสเตอร์จะตั้งค่าภาพทันทีที่เปิดเครื่องอุปกรณ์หลอดสุญญากาศทำแบบนั้นไม่ได้หลังจากบูตแล้วให้รอสักพักจึงจะได้ยินเสียงดังภาพเห็นได้ชัดว่าในการทหาร การวัด การบันทึก ฯลฯ ทรานซิสเตอร์มีข้อได้เปรียบอย่างมาก
4. แข็งแกร่งและเชื่อถือได้
เชื่อถือได้มากกว่าหลอดอิเล็กตรอน 100 เท่า ทนต่อแรงกระแทก ทนแรงสั่นสะเทือน ซึ่งหาที่เปรียบไม่ได้กับหลอดอิเล็กตรอนนอกจากนี้ขนาดของทรานซิสเตอร์เป็นเพียงหนึ่งในสิบถึงหนึ่งในร้อยของขนาดของหลอดอิเล็กตรอน ปล่อยความร้อนน้อยมาก สามารถใช้ในการออกแบบวงจรขนาดเล็ก ซับซ้อน และเชื่อถือได้แม้ว่ากระบวนการผลิตทรานซิสเตอร์จะมีความแม่นยำ แต่กระบวนการนี้ก็เรียบง่าย ซึ่งเอื้อต่อการปรับปรุงความหนาแน่นในการติดตั้งส่วนประกอบต่างๆ
