XC7A35T-2FGG484I ใหม่วงจรรวม XC7A35T ชิป IC ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ microchip professional BOM การจับคู่
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
| พิมพ์ | คำอธิบาย |
| หมวดหมู่ | วงจรรวม (IC) |
| นาย | เอเอ็มดี ซีลินซ์ |
| ชุด | อาร์ติกซ์-7 |
| บรรจุุภัณฑ์ | ถาด |
| สถานะสินค้า | คล่องแคล่ว |
| จำนวนห้องปฏิบัติการ/CLB | 2600 |
| จำนวนองค์ประกอบลอจิก/เซลล์ | 33280 |
| บิต RAM ทั้งหมด | 1843200 |
| จำนวน I/O | 250 |
| แรงดันไฟฟ้า – อุปทาน | 0.95V ~ 1.05V |
| ประเภทการติดตั้ง | ติดพื้นผิว |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 100°C (ทีเจ) |
| แพ็คเกจ/กล่อง | 484-บีบีจีเอ |
| แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ | 484-FBGA (23×23) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์ฐาน | XC7A35 |
รายงานข้อผิดพลาดข้อมูลผลิตภัณฑ์
ดูคล้ายกัน
เอกสารและสื่อ
| ประเภททรัพยากร | ลิงค์ |
| แผ่นข้อมูล | เอกสารข้อมูล Artix-7 FPGA |
| ข้อมูลด้านสิ่งแวดล้อม | ใบรับรอง Xilinx REACH211 |
| ผลิตภัณฑ์พิเศษ | USB104 A7 Artix-7 บอร์ดพัฒนา FPGA |
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
| คุณลักษณะ | คำอธิบาย |
| สถานะ RoHS | เป็นไปตามมาตรฐาน ROHS3 |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 3 (168 ชั่วโมง) |
| สถานะการเข้าถึง | REACH ไม่ได้รับผลกระทบ |
| ECCN | 3A991D |
| เอชทีเอส | 8542.39.0001 |
วงจรรวม
วงจรรวมหรือวงจรรวมเสาหิน (หรือเรียกอีกอย่างว่าไอซี ชิป หรือไมโครชิป) เป็นชุดของวงจรอิเล็กทรอนิกส์บนชิ้นแบนเล็กๆ ชิ้นเดียว (หรือ "ชิป") ของเซมิคอนดักเตอร์วัสดุมักจะซิลิคอน.ตัวเลขขนาดใหญ่ของเล็ก ๆMOSFET(โลหะ-ออกไซด์-เซมิคอนดักเตอร์ทรานซิสเตอร์สนามผล) รวมเป็นชิปขนาดเล็กส่งผลให้วงจรที่มีขนาดมีขนาดเล็กกว่า เร็วกว่า และราคาถูกกว่าวงจรที่สร้างจากแบบแยกส่วนชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์.ไอซีการผลิตจำนวนมากความสามารถ ความน่าเชื่อถือ และแนวทางแบบ Building Blockการออกแบบวงจรรวมทำให้มั่นใจได้ถึงการนำ IC ที่ได้มาตรฐานมาใช้แทนการออกแบบโดยใช้การแยกส่วนอย่างรวดเร็วทรานซิสเตอร์.ปัจจุบันไอซีถูกนำมาใช้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์แทบทุกชนิด และได้ปฏิวัติโลกของอิเล็กทรอนิกส์.คอมพิวเตอร์,โทรศัพท์มือถือและอื่น ๆเครื่องใช้ในบ้านปัจจุบันเป็นส่วนหนึ่งของโครงสร้างของสังคมสมัยใหม่ที่แยกไม่ออก เกิดขึ้นได้ด้วยขนาดที่เล็กและต้นทุนที่ต่ำของไอซี เช่น สมัยใหม่โปรเซสเซอร์คอมพิวเตอร์และไมโครคอนโทรลเลอร์.
การบูรณาการขนาดใหญ่มากทำได้จริงด้วยความก้าวหน้าทางเทคโนโลยีในโลหะ-ออกไซด์-ซิลิคอน(มอส)การผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์.นับตั้งแต่ต้นกำเนิดในทศวรรษ 1960 ขนาด ความเร็ว และความจุของชิปมีความก้าวหน้าอย่างมาก โดยได้รับแรงหนุนจากความก้าวหน้าทางเทคนิคที่เหมาะกับทรานซิสเตอร์ MOS บนชิปที่มีขนาดเท่ากันมากขึ้นเรื่อยๆ ชิปสมัยใหม่อาจมีทรานซิสเตอร์ MOS หลายพันล้านตัวใน พื้นที่ขนาดเท่าเล็บมือมนุษย์ความก้าวหน้าเหล่านี้คร่าวๆ ตามมากฎของมัวร์ทำให้ชิปคอมพิวเตอร์ในปัจจุบันมีความจุเป็นล้านเท่าและมีความเร็วเป็นพันเท่าของชิปคอมพิวเตอร์ในช่วงต้นทศวรรษ 1970
ไอซีมีข้อดีมากกว่าสองประการวงจรไม่ต่อเนื่อง: ต้นทุนและประสิทธิภาพต้นทุนต่ำเนื่องจากชิปพร้อมส่วนประกอบทั้งหมดถูกพิมพ์เป็นหน่วยโดยการพิมพ์หินด้วยแสงแทนที่จะสร้างทรานซิสเตอร์ทีละตัวนอกจากนี้ ไอซีแบบแพ็กเกจยังใช้วัสดุน้อยกว่าวงจรแยกมากประสิทธิภาพสูงเนื่องจากส่วนประกอบของ IC สลับอย่างรวดเร็วและใช้พลังงานน้อยเมื่อเทียบกับขนาดที่เล็กและอยู่ใกล้กันข้อเสียเปรียบหลักของไอซีคือต้นทุนที่สูงในการออกแบบและการผลิตตามที่ต้องการโฟโต้มาสก์.ต้นทุนเริ่มต้นที่สูงนี้หมายความว่าไอซีจะสามารถใช้งานได้ในเชิงพาณิชย์ก็ต่อเมื่อเท่านั้นปริมาณการผลิตสูงเป็นที่คาดหวัง
คำศัพท์เฉพาะทาง[แก้ไข]
หนึ่งวงจรรวมถูกกำหนดให้เป็น:[1]
วงจรที่องค์ประกอบของวงจรทั้งหมดหรือบางส่วนเชื่อมโยงกันอย่างแยกไม่ออกและเชื่อมต่อกันทางไฟฟ้าจนถือว่าแยกออกจากกันไม่ได้เพื่อวัตถุประสงค์ในการก่อสร้างและการพาณิชย์
วงจรที่ตรงตามคำจำกัดความนี้สามารถสร้างขึ้นได้โดยใช้เทคโนโลยีที่แตกต่างกันมากมาย รวมทั้งทรานซิสเตอร์แบบฟิล์มบาง,เทคโนโลยีฟิล์มหนา, หรือวงจรรวมไฮบริด.แต่ในการใช้งานทั่วไปวงจรรวมได้มาจากการก่อสร้างวงจรชิ้นเดียวแต่เดิมเรียกว่ากวงจรรวมเสาหินมักสร้างจากซิลิคอนชิ้นเดียว[2][3]
ประวัติศาสตร์
ความพยายามในช่วงแรกในการรวมส่วนประกอบต่างๆ ไว้ในอุปกรณ์เครื่องเดียว (เช่น ไอซีสมัยใหม่) คือโลเว 3NFหลอดสุญญากาศจากปี ค.ศ. 1920ต่างจากไอซีตรงที่ได้รับการออกแบบโดยมีวัตถุประสงค์เพื่อการหลีกเลี่ยงภาษีเช่นเดียวกับในเยอรมนี เครื่องรับวิทยุมีภาษีที่เรียกเก็บโดยขึ้นอยู่กับจำนวนผู้ถือหลอดของเครื่องรับวิทยุอนุญาตให้เครื่องรับวิทยุมีที่ยึดหลอดเดียว
แนวคิดเริ่มต้นของวงจรรวมย้อนกลับไปในปี 1949 เมื่อวิศวกรชาวเยอรมันเวอร์เนอร์ จาโคบี[4](ซีเมนส์ เอจี)[5]ยื่นจดสิทธิบัตรอุปกรณ์ขยายสัญญาณเซมิคอนดักเตอร์ที่มีลักษณะคล้ายวงจรรวม[6]แสดงห้าทรานซิสเตอร์บนพื้นผิวทั่วไปในสามขั้นตอนเครื่องขยายเสียงการจัดเตรียม.จาโคบีเปิดเผยเรื่องเล็กและถูกเครื่องช่วยฟังเหมือนกับการประยุกต์ทางอุตสาหกรรมทั่วไปตามสิทธิบัตรของเขายังไม่มีรายงานการใช้สิทธิบัตรของเขาในเชิงพาณิชย์ในทันที
ผู้เสนอแนวความคิดในยุคแรกอีกคนก็คือเจฟฟรีย์ ดัมเมอร์(พ.ศ. 2452-2545) นักวิทยาศาสตร์เรดาร์ที่ทำงานให้กับสถานประกอบการรอยัลเรดาร์ของชาวอังกฤษกระทรวงกลาโหม.Dummer นำเสนอแนวคิดนี้ต่อสาธารณะในการประชุม Symposium on Progress in Quality Electronic Components ในวอชิงตันดีซีเมื่อวันที่ 7 พฤษภาคม พ.ศ. 2495[7]เขาได้จัดการประชุมสัมมนาต่อสาธารณะหลายครั้งเพื่อเผยแพร่แนวคิดของเขา และพยายามสร้างวงจรดังกล่าวขึ้นในปี พ.ศ. 2499 แต่ไม่ประสบผลสำเร็จ ระหว่างปี พ.ศ. 2496 ถึง พ.ศ. 2500ซิดนีย์ ดาร์ลิงตันและยาสุโอะ ทารุอิ (ห้องปฏิบัติการไฟฟ้าเทคนิค) เสนอการออกแบบชิปที่คล้ายกันโดยที่ทรานซิสเตอร์หลายตัวสามารถใช้พื้นที่แอคทีฟร่วมกัน แต่ไม่มีการแยกไฟฟ้าเพื่อแยกพวกเขาออกจากกัน[4]
ชิปวงจรรวมเสาหินถูกเปิดใช้งานโดยการประดิษฐ์ของกระบวนการระนาบโดยฌอง เฮร์นีและการแยกทางแยก p-nโดยเคิร์ต เลโฮเว็ค.สิ่งประดิษฐ์ของ Hoerni ถูกสร้างขึ้นบนโมฮาเหม็ด เอ็ม. อตาลลางานของฟูลเลอร์และดิทเซนเบอร์เกอร์เกี่ยวกับการแพร่กระจายสิ่งเจือปนของโบรอนและฟอสฟอรัสไปเป็นซิลิคอนคาร์ล ฟรอสช์และงานของลินคอล์น เดอริกในด้านการปกป้องพื้นผิว และชิห์ทังซาการทำงานของการกำบังการแพร่กระจายด้วยออกไซด์[8]
