IPD031N06L3G ใหม่ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ชิป ic MCU BOM บริการสต็อก IPD031N06L3G
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
พิมพ์ | คำอธิบาย |
หมวดหมู่ | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน |
นาย | อินฟิเนียน เทคโนโลยีส์ |
ชุด | ออปติมอส™ |
บรรจุุภัณฑ์ | เทปและรีล (TR) เทปตัด (CT) ดิจิ-รีล® |
สถานะสินค้า | คล่องแคล่ว |
ประเภท FET | เอ็น-แชนแนล |
เทคโนโลยี | MOSFET (โลหะออกไซด์) |
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss) | 60 โวลต์ |
ปัจจุบัน – ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C | 100A (ทีซี) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds) | 4.5V, 10V |
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 100A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 93µA |
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 79 นาโนซี @ 4.5 โวลต์ |
วีจีเอส (สูงสุด) | ±20V |
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds | 13000 pF @ 30 V |
คุณสมบัติ FET | - |
การกระจายพลังงาน (สูงสุด) | 167W (ทีซี) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (ทีเจ) |
ประเภทการติดตั้ง | ติดพื้นผิว |
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ | PG-TO252-3 |
แพ็คเกจ/กล่อง | TO-252-3, DPak (2 สาย + แถบ), SC-63 |
หมายเลขผลิตภัณฑ์ฐาน | IPD031 |
เอกสารและสื่อ
ประเภททรัพยากร | ลิงค์ |
แผ่นข้อมูล | IPD031N06L3 G |
เอกสารอื่นๆ ที่เกี่ยวข้อง | คู่มือหมายเลขชิ้นส่วน |
ผลิตภัณฑ์พิเศษ | ระบบประมวลผลข้อมูล |
เอกสารข้อมูล HTML | IPD031N06L3 G |
โมเดลจำลอง | MOSFET OptiMOS™ 60V N-Channel รุ่น Spice |
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
คุณลักษณะ | คำอธิบาย |
สถานะ RoHS | เป็นไปตามมาตรฐาน ROHS3 |
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (ไม่จำกัด) |
สถานะการเข้าถึง | REACH ไม่ได้รับผลกระทบ |
ECCN | EAR99 |
เอชทีเอส | 8541.29.0095 |
แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม
คุณลักษณะ | คำอธิบาย |
ชื่ออื่น | IPD031N06L3G IPD031N06L3 GTR-ND IPD031N06L3 GDKR IPD031N06L3 G-ND IPD031N06L3GATMA1TR IPD031N06L3 GCT-ND IPD031N06L3 G IPD031N06L3GATMA1DKR IPD031N06L3GATMA1CT SP000451076 IPD031N06L3 GCT IPD031N06L3 GDKR-ND |
แพ็คเกจมาตรฐาน | 2,500 |
ทรานซิสเตอร์เป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้กันทั่วไปในเครื่องขยายเสียงหรือสวิตช์ควบคุมด้วยระบบอิเล็กทรอนิกส์ทรานซิสเตอร์เป็นส่วนประกอบพื้นฐานที่ควบคุมการทำงานของคอมพิวเตอร์ โทรศัพท์มือถือ และวงจรอิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่อื่นๆ ทั้งหมด
เนื่องจากความเร็วในการตอบสนองที่รวดเร็วและความแม่นยำสูง ทรานซิสเตอร์จึงสามารถนำไปใช้กับฟังก์ชันดิจิตอลและอนาล็อกได้หลากหลาย รวมถึงการขยายสัญญาณ การสวิตชิ่ง ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้า การมอดูเลตสัญญาณ และออสซิลเลเตอร์ทรานซิสเตอร์สามารถบรรจุแยกกันหรือในพื้นที่ขนาดเล็กมากที่สามารถบรรจุทรานซิสเตอร์ได้ตั้งแต่ 100 ล้านตัวขึ้นไปโดยเป็นส่วนหนึ่งของวงจรรวม
เมื่อเปรียบเทียบกับหลอดอิเล็กตรอน ทรานซิสเตอร์มีข้อดีหลายประการ:
ส่วนประกอบไม่มีการบริโภค
ไม่ว่าท่อจะดีแค่ไหนก็จะค่อยๆเสื่อมสภาพลงเนื่องจากการเปลี่ยนแปลงของอะตอมแคโทดและการรั่วไหลของอากาศเรื้อรังด้วยเหตุผลทางเทคนิค ทรานซิสเตอร์ก็มีปัญหาเดียวกันเมื่อถูกสร้างขึ้นครั้งแรกด้วยความก้าวหน้าในด้านวัสดุและการปรับปรุงในหลาย ๆ ด้าน โดยทั่วไปแล้วทรานซิสเตอร์จะมีอายุการใช้งานยาวนานกว่าหลอดอิเล็กทรอนิกส์ 100 ถึง 1,000 เท่า
ใช้พลังงานน้อยมาก
มันเป็นเพียงหนึ่งในสิบหรือสิบของหลอดอิเล็กตรอนหลอดเดียวไม่จำเป็นต้องให้ความร้อนแก่เส้นใยเพื่อผลิตอิเล็กตรอนอิสระเหมือนกับหลอดอิเล็กตรอนวิทยุทรานซิสเตอร์ต้องการแบตเตอรี่แห้งเพียงไม่กี่ก้อนในการฟังเป็นเวลาหกเดือนต่อปี ซึ่งเป็นเรื่องยากสำหรับวิทยุแบบหลอด
ไม่จำเป็นต้องอุ่นเครื่อง
ทำงานทันทีที่คุณเปิดเครื่องตัวอย่างเช่น วิทยุทรานซิสเตอร์จะดับทันทีที่เปิดเครื่อง และโทรทัศน์ทรานซิสเตอร์จะตั้งค่าภาพทันทีที่เปิดเครื่องอุปกรณ์หลอดสุญญากาศทำแบบนั้นไม่ได้หลังจากบูตแล้วให้รอสักพักจึงจะได้ยินเสียงดังภาพเห็นได้ชัดว่าในการทหาร การวัด การบันทึก ฯลฯ ทรานซิสเตอร์มีข้อได้เปรียบอย่างมาก
แข็งแกร่งและเชื่อถือได้
เชื่อถือได้มากกว่าหลอดอิเล็กตรอน 100 เท่า ทนต่อแรงกระแทก ทนแรงสั่นสะเทือน ซึ่งหาที่เปรียบไม่ได้กับหลอดอิเล็กตรอนนอกจากนี้ขนาดของทรานซิสเตอร์เป็นเพียงหนึ่งในสิบถึงหนึ่งในร้อยของขนาดของหลอดอิเล็กตรอน ปล่อยความร้อนน้อยมาก สามารถใช้ในการออกแบบวงจรขนาดเล็ก ซับซ้อน และเชื่อถือได้แม้ว่ากระบวนการผลิตทรานซิสเตอร์จะมีความแม่นยำ แต่กระบวนการนี้ก็เรียบง่าย ซึ่งเอื้อต่อการปรับปรุงความหนาแน่นในการติดตั้งส่วนประกอบต่างๆ